Especificações Técnicas

PARAMETER LEVEL VALUE UNIT SUPPLY SITUATION   IN PRODUCTION   DRAIN VOLTAGE TYP 7.2 V FREQUENCY   175 / 527 / 870 MHZ OUTPUT POWER (MIN)   7 W PACKAGE   SLP   INPUT POWER (TYP)   0.3 / 0.4 / 0.5 W DRAIN EFFICIENCY (MIN)   58 % FEATURE   BUILT IN GATE PROTECTION DIODE   ROHS DIRECTIVE   COMPLIANT WITH ROHS -2011/65/EU-(EU) 2015/863- RD07MUS2B SILICON RF POWER MOS FET 7W MAIORES DETALHES DE RD07MUS2B NO SITE DO FABRICANTE: HTTPS://WWW.MITSUBISHIELECTRIC.COM/SEMICONDUCTORS/CONTENT/PRODUCT/HIGHFREQUENCY/ TAGS DE RD07MUS2B: RD07MUS2B, RD07MUS2, RD07MUS2B, RD07MUS2B-T212, AMPLIFICADOR DE POTÊNCIA DE RF DE ALTA FREQÜÊNCIA, RD07 MUS2B, TRANSISTOR AMPLIFICADOR DE RF, TRANSISTOR DE RF, SILICON RF DEVICES RF HIGH POWER MOS FETS

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