Especificações Técnicas

P-CHANNEL LOGIC LEVEL ENHANCE MENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR PRODUCT SUMMARY:  BVDSS  -30V RDSON (MAX.)  8OHMS. 5M-  ID  -2 5A    UIS, RG 100% TESTED PB FREE  LEAD PLATING E HALOGEN FREE ESD PROTECTION ABSOLUTE MAXIMU M RATINGS (TA = 25 °C UNLESS OT HERWISE NOTED) PARAMETERS/TEST CONDITIONS  SYMBOL  EMZB08P03V LIMITS UNIT  GATE-SOURCE VOLTAGE CONTINUOUS DRAIN CURRENT  PULSED DRA IN CURRENT1  TC = 25 °C  TC =100 °C  AVALANCHE CURRENT  AVAL ANCHE ENERGY  L = 0. 1MH, ID=-25 A, RG=25- POWER DISSIPATION  TC  = 25 °C  TC = 100 °C OPERATING JUNCTION  EMZB08P03V MOSFET P-CHANNEL 30V 25A RDSON 8.5OHM (KIT 10) MAIORES DETALHES DE EMZB08P03V NO SITE DO FABRICANTE: HTTP://WWW.DATASHEET-PDF.COM/PDF/EMZB08P03V-DATASHEET-EXCELLIANCEMOS-1112069 TAGS DE EMZB08P03V: EMZB08P03V, EMZB08P03V, EMZB08P03, ZB08P03, ZB08, AO4433, FDS9435A, AO6403, EMZB08P03H, EMZB08P03G, MOSFET CANAL P, 30V P-CHANNEL MOSFET, MOSFET CANAL P, MOSFET 8 TERMINAIS CANAL P, MOSFET 8PIN P-CH, TRANSISTOR 8 PINOS, TRANSISTOR 8PIN

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